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IXFK 120N25P
IXFX 120N25P
210
Fig. 7. Input Adm ittance
110
Fig. 8. Trans conductance
100
T J = -40 o C
180
150
120
90
90
80
70
60
50
25 o C
150 o C
60
30
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
30
60
90
120
150
180
210
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 125V
I D = 60A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
10000
V S D - V olts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
C is s
R DS(on) Lim it
T J = 150 o C
T C = 25 o C
25μs
1000
C oss
100
100μs
1m s
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
10
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
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